Amerykański koncern Raytheon przedstawił szczegóły swojej oferty związanej ze sprzedażą systemu obrony powietrznej Patriot NG (PL), koncentrując się na projekcie dookólnej anteny radarowej i stosowaniu azotku galu (GaN).
Kilka miesięcy temu polski rząd wskazał USA jako dostawcę systemu obrony powietrznej Patriot. Przesądziło to o głównym wykonawcy zlecenia, Raythonie. Według informacji – zarówno od przedstawicieli władz, jak i producenta – w najbliższym czasie, prawdopodobnie w październiku, zostanie podpisany Letter of Request, czyli oficjalne zamówienie otwierające proces zakupu w ramach procedury Foreign Military Sales.
W czasie spotkania w dziennikarzami, w pierwszym dniu MSPO, przedstawiciele Raytheona skoncentrowali się na przedstawieniu technicznych szczegółów głęboko zmodernizowanej odmiany Patriota. Najważniejsze zmiany dotyczą stacji radiolokacyjnej. Amerykanie zdecydowali o wykorzystaniu anten z aktywnym skanowaniem fazowym (AESA): jednej głównej – identycznej jak w obecnych zestawach – oraz dwóch mniejszych, ulokowanych w tylnej części kontenera stacji. Dzięki temu będzie możliwe stworzenie dookólnego obrazu sytuacji powietrznej.
W ub.r. Raytheon opracował demonstrator tylnej anteny klasy AESA. W trakcie przeprowadzonych testów potwierdził on wstępnie osiągniecie zakładanych wymogów technicznych. Udało się też współdziałać z anteną główną zestawu. Głęboko zmodernizowana wersja tej ostatniej – również z aktywnym skanowaniem fazowym – powstanie w ciągu najbliższych miesięcy. Przedstawiciele koncernu deklarują też, że zdążą w wymaganych terminach zakończyć opracowanie wymaganej przez Polskę otwartej architektury oprogramowania całego zestawu.
Raytheon jest amerykańskim liderem w dziedzinie wytwarzania półprzewodników opartych na azotku galu (GaN). Ten materiał ma najlepsze charakterystyki dotyczące wydajności, ma też większy zakres temperatur pracy i dużą odporność na zakłócenia elektromagnetyczne. W rezultacie układy scalone oparte na GaN mogą być mniejsze, wymagają mniej energii i słabszego układu chłodzenia. Pozwala to na obniżenie masy urządzeń, takich jak radiolokator. Opracowujący tę technologię twierdzą, że niższe będą też koszty produkcji seryjnej, a przede wszystkim – użytkowania. Faktem jest jednak, że nie powinno mieć to bezpośredniego wpływu charakterystyki taktyczne radarów, w tym np. zasięgów wykrywania celów, w porównaniu do arsenku galu wykorzystywanego w seryjnych urządzeniach.
Producent opracował pierwszy, doświadczalny tranzystor w technologii GaN w 2001. W ciągu 15 ostatnich lat koncern wydał na ten cel 150 mln USD i otrzymał dodatkowo 100 mln z budżetu federalnego. W rezultacie posiada zaawansowane demonstratory technologii płytek z układami scalonymi 8. poziomu (wyższym, ostatnim jest już tylko prototyp, wzorzec produkcji seryjnej) oraz – jako jedyny w USA – certyfikat Pentagonu pozwalający na rozpoczęcie produkcji wojskowych podzespołów elektronicznych na bazie GaN. Choć prawa do tych rozwiązań ma Waszyngton…
Według przedstawicieli Raytheona, koncern posiada już demonstratory anten radarowych z nowymi podzespołami elektronicznymi. Jedną z nich ma być zaprezentowana antena boczna do zestawów Patriot. Jednak wszystko wskazuje na to, że pierwszym urządzeniem seryjnie produkowanym będzie antena morska, budowana na zlecenie US Navy. Ma ona zostać przekazana użytkownikowi w 2019.